檢索結果：共12筆資料 檢索策略： "陳炤彰".cadvisor (精準) and year="108"
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近年來工業4.0逐漸應用於半導體領域，隨著GPU、CPU兩者的普及化使得深度學習爆炸性的成長，身為關鍵半導體製造基礎材料，矽晶圓切片製程參數對於減少後續研、拋成本，顯得格外重要，鑽石線鋸為目前矽晶圓…
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鉭酸鋰(Lithium Tantalate, LT)是一種鐵電(Ferroelectric)晶體，具有獨特優異的焦電(Pyroelectric)、壓電(Piezoelectricity)和電光(El…
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本研究旨為在玻璃基板上製作出雙面階層陽極氧化鋁結構嵌件，利用階層陽極氧化鋁奈米孔洞結構使其一表面具有超親水性，另一表面作為嵌件射出成形製程使玻璃與聚碳酸酯(PC)鏡片異質結合之介質，製作出具有超親水…
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在現今半導體工業的製程中晶片的平坦化是必經的過程，而晶錠的切片技術是決定晶片平坦化質量的第一步。如今，固定鑽石線切割（DWS）被普遍應用於晶錠的切片製程。而鑽石線材的切割效率取決於晶錠的材料屬性、冷…
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固定式磨料或鑽石線鋸切割技術（DWS）隨著技術的進步已逐漸被開發為游離磨料線鋸切削（SWS）的潛在替代品，可用於對硬質和脆性材料進行切片。儘管此技術有許多優點，DWS工藝仍會在切割表面上造成粗糙度、…
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電動汽車、再生能源及快速充電等高功率元件的應用矽功率元件已無法滿足市場需求，因此單晶碳化矽 (SiC) 相較於單晶矽具有高寬能隙、高崩潰電壓及高熱傳導率等特性較適合用於高功率元件，然而單晶碳化矽具有…
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本研究設計微結構於隱形眼鏡光學區並製造微結構隱形眼鏡以矯正高度數遠視。於隱形眼鏡設計與製造中，隨著隱形眼鏡光學度數的增高，鏡片厚度也隨之增加。為了減少鏡片過多的厚度，且不影響原光學度數，本研究採用菲…
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半導體製造規格不斷的縮小、以及堆疊層數增加的情況下，使得化學機械拋光製程(Chemical Mechanical Polishing, CMP)對臨界尺寸控制需更加要求，因此在製程終點控制面臨重大挑…
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在化學機械平坦化/拋光(Chemical Mechanical Planarization/ Polishing, CMP)製程中，需要鑽石修整器來維持拋光墊表面之穩定性，而拋光墊表面形貌會直接影響…
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射出成形技術製造微米尺度光學元件較為困難，因需要同時控制多個製程參數使產品於誤差範圍內。本研究將模擬退火法(Simulated Annealing, SA)與基因演算法(Genetic Algori…